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商品描述
【特价】8英寸电子级硅片，Φ200mm。
我司经营1英寸，2英寸，3英寸，4英寸，5英寸，6英寸，8英寸，12英寸各种型号太阳能级和电子级硅片。
单晶硅，多晶硅，头尾，边皮，埚底，区熔，硅粉等各种硅材料。
二、物理性质
硅是一种化学元素，英文名称Silicon，化学符号是Si，旧称矽，原子序数14，相对原子质量28.0855，密度2.4g/立方厘米，熔点1414℃，沸点2355℃。硅的化学性质比较活泼，在高温下能与氧气等多种元素化合，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硅在自然界中分布极广，一般很少以单质的形式出现，主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。
三、硅片加工流程
单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片→倒角→研磨→腐蚀--抛光→清洗→包装
1.切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。 切断的设备：内圆切割机或外圆切割机。切断用主要进口材料：刀片。
2.外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨的设备：磨床。
3.平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。 处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。
4.切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。 切片的设备：内园切割机或线切割机。
5.倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。 倒角的主要设备：倒角机。
6.研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。 研磨的设备：研磨机（双面研磨）。 主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
7.腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。 腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。 （B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
8.抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。 抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。 抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20μm；精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1μm以下。主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
9.清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL。
10.损耗产生的原因：
A.多晶硅--单晶硅棒 多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。 重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。 重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。
损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15%。
单晶硅棒整形过程中的头尾料约20%。
单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10%-13%。
例：4英寸 5英寸标称直径100mm 125mm，拉晶直径106mm 131mm，磨削损耗 12.36% 9.83%，拉制参考损耗0.70% 0.80%，合计损耗 13.06% 10.63%。此外，由于单晶硅的电阻率范围、电阻率均匀性、杂质种类、缺陷状态等参数在不同客户的要求下，都会对成品的实收率有影响，即使是同一规格的产品，不同厂家生产该产品的合格率也会不同。一般来讲，由于晶体质量原因造成的损耗率为7.5%。
从多晶硅--单晶硅棒总损耗率：4英寸约为45.3%，5英寸约为43.8%。
B、单晶硅棒--单晶硅抛光片 单晶硅棒加工成单晶硅抛光片过程中损耗主要在切片工序，如采用内圆切割机在切割过程中由于刀片的研磨及切片过程中刀片的摆动造成。此间的损耗约34%-35%，因此刀片质量是关键，刀片越薄损耗越小。
例：4英寸 5英寸切片刀厚310+-25 380+-25，硅片厚度650 750，损耗率34% 35%，其他工序的净损耗从切片到最终抛光，此间损耗16.67%-19.23%。
例：4英寸 5英寸切片厚度650 750，抛光厚度525 625，损耗率19.23% 16.67%。
从单晶硅棒到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下：切片5%、倒角1%、磨片5%、腐蚀2%、退火2%、抛光5%、清洗2%，此间损耗率约20%。
从单晶硅棒--单晶硅抛光片的总损耗率：4英寸约为57.4%，5英寸约为56.7%。
注：因材料行情变化，下单前请联系客服获取最新报价，如有不便敬请谅解！
河南亿鑫有色金属材料有限公司初创于2012年，主要客户群体为科研单位，高等院校。现主要经销钛、锆、镍、铬、钴、硅、铪、镓、锰、镁、钼、钨、碲、钽、铟、锌、金、银、铑、铌、铋、钒、镉、铍、铜、铝、铁等各种小金属、稀有金属、高纯金属及合金材料，同时可提金属材料加工、贸易、技术咨询。我司秉承“诚信为本，合作共赢”的经营理念，信守合同，保证质量，提供优质的服务，欢迎广大朋友来电详询！联系电话：0371-63297968，18039676968，18538565559，谢经理
